Gsg90r1K2se a262 Conversor Flyback Aux Vds, Min @ Tj (max) 900V 38mΩ Mosfet de Potência

N ° de Modelo.
Osg90r1K2if To262
descrição
perda de comutação extremamente baixa
Pacote de Transporte
Carton
Especificação
35x30x37cm
Marca Registrada
Orientalsemiconductor
Origem
China
Código HS
854129000
Capacidade de Produção
20kkkk/Monthly
Preço de referência
$ 1.62 - 1.80
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Descrição de Produto

Descrição geral
Gsg90R1K2xF utilizam tecnologia GreenMOSTM avançado para fornecer baixa RDS (ligado) , porta de baixa carga, a comutação rápida e excelentes características de avalanches. Este equipamento é adequado para correção do fator de potência ativo e aplicativos de fonte de alimentação de modo de comutação.


                                           Aplicações de recursos
  1. Baixa RDS (ligado) e                                                Iluminação da FOM
  2.                                 Disco rígido de perdas de comutação extremamente baixa PWM de comutação
  3. A uniformidade e estabilidade excelente fonte de                 alimentação do servidor
  4. Fácil de                                carregador de acionamento

Os parâmetros de desempenho chave
 
    1. As classificações de máximo absoluto em Tj =25ºC salvo indicação em contrário
 
O parâmetro Símbolo Valor Unidade
Tensão da fonte de drenagem O VDS 900 V
Tensão de origem da porta VGS ±30 V
Corrente de drenagem contínua 1) , Tc =25 ºC ID 5 Um
Corrente de drenagem contínua 1) , TC =100 ºC 3.2
Corrente de dreno pulsada 2) , Tc =25 ºC ID , pulso 15 Um
Dissipação de energia 3) para A251, A262 , Tc =25 ºC PD 83 W
Dissipação de energia 3) para a220F , Tc =25 ºC 31
Energia avalanche pulsada única 5) O EAS 211 MJ
Dv/dt MOSFET robustez, VDS =0…480 V Dv/dt 50 V/ns
Díodo de ré dv/dt, VDS =0…480 V, DSI ≤ID Dv/dt 15 V/ns
Temperatura de operação e armazenamento Tstg ,TJ -55 a 150 ºC
 
 
  1. &Bsp Características térmicas;
 
O parâmetro Símbolo Valor Unidade
A251/A262 A220F
Resistência térmica, caso de junção RθJC 1.5 4.0 ºC/W
Resistência térmica, cruzamento- ambient 4) RθJA 62 62,5 ºC/W
  1. Características eléctricas em tj = 25 ºC salvo indicação em contrário
 
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste

Tensão de ruptura de fonte de drenagem
BVDSS 		900    
V 		VGS = 0 V, ID =250 μA
960 1070   VGS = 0 V, ID =250 μA,
Tj =150 ºC
Tensão de limiar da porta VGS (TH) 2.0   4.0 V O VDS =VGS , ID =250 μA

Fonte de drenagem no estado de resistência
RDS (ligado) 		  1.0 1.2
Ω 		VGS =10 V, ID =2 A
  2.88   VGS =10 V, ID =2 A,
Tj =150 ºC

Gate fonte de corrente de fuga
IGSS 		    100
América do Norte 		VGS =30 V
    -100 VGS = -30 V
Fonte de dreno de corrente de fuga IDSS     10 ΜA O VDS =900 V, VGS = 0 V
  1. Características dinâmicas
 
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste
Capacitância de Entrada Os Ciss   874.2   PF VGS = 0 V, VDS = 50 V,
F=100 kHz
A capacitância de saída Coss   37,5   PF
A capacitância de transferência de ré Sir   1.7   PF
Gire o tempo de atraso Td (a)   33.23   Ns VGS =10 V, VDS =400 V, RG =33 Ω, ID =5 A
Tempo de elevação Tr   26,50   Ns
Tempo de retardo de desligamento Td (Desligado)   44.00   Ns
Tempo de queda Tf   17.63   Ns
 
 
  1. Características de carga da porta
Osg90r1K2if To262 Aux Flyback Converter Vds, Min @ Tj (max) 900V 38mΩ Power Mosfet
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste
Total de carga da porta Qg   12.50   NC
ID =5 A, VDS =400 V, VGS =10 V
Porta de carga da fonte O programa QGS   3.75   NC
Porta de carga de drenagem Qgd   4.28   NC
Tensão do planalto de bico valvulado Vplateau   5.8   V
  1. Características do Diodo do corpo
 
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste
O diodo corrente de avanço É     5
Um
VGS <V
Corrente de fonte pulsada ISP     15
Tensão de avanço do diodo VSD     1.3 V É =5 A, VGS = 0 V
Tempo de recuperação de ré Trr   265.87   Ns
VR =400 V, é =5 A,
Di/dt = 100 A/μs
Taxa de recuperação de ré Qrr   2.88   ΜC
Pico de corrente de recuperação de ré Irrm   19.51   Um
  1. Nota
 
  1. Calculado de corrente contínua com base na temperatura da junção máxima admissível.
  2. Classificação repetitivas; a largura de pulso limitada por um máximo de temperatura da junção.
  3. Pd é baseado em um máximo de temperatura da junção, usando a resistência térmica da caixa de junção.
  4. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado no 1 em 2 FR-4 board com 2oz. Cobre, em um ambiente com ar ainda Ta = 25 ºC.
  5. VDD =100 V, RG =47 Ω, L=10 mH, começando a tj = 25 ºC.
   
     
     
     
     

Marcação de informações
 
Nome do produto Package Marcação
Gsg65R038HZF A247 Gsg65R038HZ
As classificações de máximo absoluto em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário
 
O parâmetro Símbolo Valor Unidade
Tensão da fonte de drenagem O VDS 650 V
Tensão da fonte de bico valvulado VGS ±30 V
Corrente de drenagem contínua 1) , Tc =25 °C
ID 		80
Um
Corrente de drenagem contínua 1) , TC =100 °C 50
Corrente de dreno pulsada 2) , Tc =25 °C ID , pulso 240 Um
Diodo contínua corrente de avanço 1) , Tc =25 °C É 80 Um
Corrente impulsada diodo 2) , Tc =25 °C É , pulso 240 Um
  Dissipação de energia 3)   , Tc =25   °C PD 500 W
Energia avalanche pulsada única 5) O EAS 2900 MJ
Dv/dt MOSFET robustez, VDS =0…480 V Dv/dt 100 V/ns
Díodo de ré dv/dt, VDS =0…480 V, DSI ≤ID Dv/dt 50 V/ns
Temperatura de operação e armazenamento Tstg , TJ -55 a 150 °C

As características térmicas
 
O parâmetro Símbolo Valor Unidade
Resistência térmica, caso de junção RθJC 0.25 °C/W
Resistência térmica, cruzamento- ambient 4) RθJA 62 °C/W

Características eléctricas em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste

Tensão de ruptura de fonte de drenagem
BVDSS 		650    
V 		VGS = 0 V, ID =2 mA
700 770   VGS = 0 V, ID =2 mA, tj = 150 °C
O limiar da porta
A tensão 		VGS (TH) 3.0   4.5 V O VDS =VGS , ID =2 mA

Fonte de drenagem
No estado de resistência
RDS (ligado) 		  0,032 0,038
Ω 		VGS =10 V, ID =40
  0,083   VGS =10 V, ID =40 A, tj = 150 °C
Gate fonte de corrente de fuga
IGSS 		    100
América do Norte 		VGS =30 V
    -100 VGS = -30 V
Fonte de dreno de corrente de fuga IDSS     10 ΜA O VDS =650 V, VGS = 0 V
Resistência do Bico Valvulado RG   2.1   Ω Ƒ = 1 MHz, abra o dreno

Características dinâmicas
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste
Capacitância de Entrada Os Ciss   9276   PF
VGS = 0 V, VDS = 50 V,
Ƒ=100 kHz
A capacitância de saída Coss     PF
A capacitância de transferência de ré Sir   12.8   PF
Saída efectiva capacitância energia relacionada Co (ER)   278   PF
VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V
Saída efectiva capacitância hora relativas Co (tr)   1477   PF
Gire o tempo de atraso Td (a)   55,9   Ns
VGS =10 V, VDS =400 V, RG =2 Ω, ID =40
Tempo de elevação Tr   121,2   Ns
Tempo de retardo de desligamento Td (Desligado)   114,2   Ns
Tempo de queda Tf   8.75   Ns

Características de carga da porta
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste
Total de carga da porta Qg   175.0   NC

VGS =10 V, VDS =400 V, ID =40
Porta de carga da fonte O programa QGS   40.1   NC
Porta de carga de drenagem Qgd   76,1   NC
Tensão do planalto de bico valvulado Vplateau   6.4   V

Características do Diodo do corpo
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste
Tensão de avanço do diodo VSD     1.3 V É =80 A, VGS = 0 V
Tempo de recuperação de ré Trr   180   Ns
É =30 A,
Di/dt = 100 A/μs
Taxa de recuperação de ré Qrr   1.5   A COMUNICAÇÃO UNIFICADA
Pico de corrente de recuperação de ré Irrm   15.2   Um

Nota
  1. Calculado de corrente contínua com base na temperatura da junção máxima admissível.
  2. Classificação repetitivas; a largura de pulso limitada por um máximo de temperatura da junção.
  3. Pd é baseado em um máximo de temperatura da junção, usando a resistência térmica da caixa de junção.
  4. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado no 1 em 2 FR-4 board com 2oz. Cobre, em um ambiente com ar ainda Ta = 25 °C.
  5. VDD =300 V, VGS =10 V, L=40 mH, começando a tj = 25 °C.
Osg90r1K2if To262 Aux Flyback Converter Vds, Min @ Tj (max) 900V 38m&Omega; Power Mosfet Osg90r1K2if To262 Aux Flyback Converter Vds, Min @ Tj (max) 900V 38m&Omega; Power Mosfet Osg90r1K2if To262 Aux Flyback Converter Vds, Min @ Tj (max) 900V 38m&Omega; Power Mosfet Osg90r1K2if To262 Aux Flyback Converter Vds, Min @ Tj (max) 900V 38m&Omega; Power Mosfet Osg90r1K2if To262 Aux Flyback Converter Vds, Min @ Tj (max) 900V 38m&Omega; Power Mosfet

 

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