MOSFET di potenza in modalità potenziata A canale N da 2 A 650 V B2n65 to-251

Model No.
B2N65
Numero di lotto
2023
Marca
Wxdh
Pacchetto di Trasporto
Tube
Marchio
WXDH
Origine
Wuxi, China
Codice SA
8541290000
Prezzo di riferimento
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Descrizione del Prodotto

2A 650V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet B2n65 to-251 2A 650V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet B2n65 to-251 2A 650V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet B2n65 to-251
PARAMETRO SIMBOLO VALORE UNITÀ
2N65/I2N65/E2N65/B2N65/D2N65 F2N65  
Tensione sorgente DRIAN VDS 650 V
Tensione gate-drain VGS ±30 V
Corrente di scarico (continua) ID (T=25ºC) 2 R
(T=100ºC) 1.26 R
Corrente di scarico(a impulsi) IDM 8 R
Energia valanghe a impulso singolo EAS 64 MJ
Recupero diodo di picco dv/dt dv/dt 5 V/ns
Dissipazione totale TA=25ºC Ptot 2 2 W
TC=25ºC Ptot 35 20 W
Temperatura di giunzione TJ 150 ºC
Temperatura di conservazione Tstg -55~150 ºC
 
Caratteristiche
Commutazione rapida
Bassa resistenza IN STATO ATTIVO(Rdson≤5Ω)
Carica gate bassa (tipo: 9 NC)
Capacità di trasferimento in retromarcia ridotte (tipo: 6PF)
Test di energia a valanga a impulso singolo al 100%
100% ΔVDS Test
Applicazioni
Utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza.
Circuito dell'interruttore di alimentazione dell'adattatore e del caricabatteria.
 
Specifiche del prodotto e modelli di imballaggio
Modello del prodotto Tipo di pacchetto Nome contrassegno RoHS Pacchetto Quantità
2N65 A-220C 2N65 Senza piombo Tubo 1000/confezione
F2N65 TO-220F F2N65 Senza piombo Tubo 1000/confezione
B2N65 TO-251 B2N65 Senza piombo Tubo 3000/confezione
D2N65 TO-252 D2N65 Senza piombo Nastro e bobina 2500/confezione
I2N65 TO-262 I2N65 Senza piombo Tubo 1000/confezione
E2N60 TO-263 E2N60 Senza piombo Nastro e bobina 800/confezione
 

 

Semiconduttore

NUSBAUMFAMILY.COM, 2023